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標題: H bridge~~ mosfet元件發燙 [打印本頁]

作者: david1234 時間: 2015-10-23 19:43
標題: H bridge~~ mosfet元件發燙
小弟最近用Arduino做馬達DC 9v正反轉https://www.youtube.com/watch?v=3tHIXPoKPNc
是用這段影片去完成的
我的元件是用IRF640 (GDS)
當正轉時或反轉時
左上和右上就會漸漸發燙
不知道是什麼原因造成

想請教各位大大感激不盡

作者: Naughty 時間: 2015-10-23 21:40
本帖最後由 Naughty 於 2015-10-23 21:45 編輯

1.不是你的錯誤造成的問題,它本來就會發燙的
2.這個現象是電路設計錯誤造成的
3.假設左邊開關j1按下去,理論上m1和m4導通,事實是m4是全導通了,可是m1並沒有全導通
你可以量一下,馬達的右邊是0V,可是左邊並不是0V,這裡假設一下,假設是3.5Volt
就是說m1的s極不是地電位,m1的Vgs只有1.5Volt,m1沒有全導通,假設流過的電流是0.5A
那麼你的m1就有0.75W的發熱量
4.合理的做法是用兩個N-ch,兩個P-ch組成這個電路,自己研究一下,注意一下,P-ch MOSFET是Low動作的
補充一下,我看電路是5Volt,你用9Volt,自己調整計算一下,一時沒注意到

作者: io64227 時間: 2015-10-25 19:15
這電路沒有自鎖功能
  很容易信號錯誤造成電流過大  IRF640 可以到11A
  不應該會發燙
  改用兩個N-ch,兩個P-ch組成這個電路  達到自鎖功能
  除非你的馬達會越過11A
  用ＭＯＳＦＥＴ做成本有點高

  我都用 NPN PNP  電晶體做馬達驅動
  電流很小的就改用 ULN2003
  成本差很多

作者: david8251 時間: 2015-11-4 14:32
回復 1# david1234

感謝大大~~~~~已經完成

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